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GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252

Numéro de pièce MFG
GC08MPS12-252
quantité disponible
86270 Pièces
Prix de référence
USD 3.782488
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Date d'expédition
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fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
- SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
GC08MPS12-252.pdf
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GC08MPS12-252 Caractéristiques

Référence fabricant GC08MPS12-252
Numéro de pièce future FT-GC08MPS12-252
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
GC08MPS12-252 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 40A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.8V @ 8A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 7µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F 545pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GC08MPS12-252 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange GC08MPS12-252-FT

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