maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / IDH08G65C5XKSA1
Référence fabricant | IDH08G65C5XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IDH08G65C5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolSiC™ |
IDH08G65C5XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 8A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 280µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-2-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH08G65C5XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IDH08G65C5XKSA1-FT |
DSI30-08AS-TUB
IXYS
DSS10-01AS
IXYS
DSS10-01AS-TUB
IXYS
DSS16-0045AS
IXYS
DSS16-0045AS-TUB
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DHG60I1200HA
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DPF60IM400HB
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DPG60IM400QB
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DHF30IM600QB
IXYS
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel