maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU8JL-5302M3/45
Référence fabricant | GBU8JL-5302M3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-GBU8JL-5302M3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU8JL-5302M3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.9A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU8JL-5302M3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU8JL-5302M3/45-FT |
GBPC608/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-6419E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-6419E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-6419M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16U484C7
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
10AX027E2F27E2SG
Intel
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP20K400ERC208-1
Intel