maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU4DL-5303M3/51
Référence fabricant | GBU4DL-5303M3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-GBU4DL-5303M3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU4DL-5303M3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4DL-5303M3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU4DL-5303M3/51-FT |
DF75R12W1H4FB11BOMA1
Infineon Technologies
DF80R12W2H3FB11BOMA1
Infineon Technologies
DLA100B1200LB
IXYS
DLA100B1200LB-TRR
IXYS
DMA90U1800LB
IXYS
DMA90U1800LB-TRR
IXYS
EFD15B
Sensata-Crydom
EFE15C
Sensata-Crydom
EFE15F
Sensata-Crydom
EFF15F
Sensata-Crydom
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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M1A3PE3000-1FG484
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A3PE1500-1PQ208
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EPF10K200EBC600-1
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5SGXMB6R3F43C4N
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A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
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5AGXBB1D6F35C6N
Intel