maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU801-G
Référence fabricant | GBU801-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBU801-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU801-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU801-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU801-G-FT |
DB105-G
Comchip Technology
DB101-G
Comchip Technology
DB103-G
Comchip Technology
DB104-G
Comchip Technology
DB106-G
Comchip Technology
DF206ST-G
Comchip Technology
DF206S-G
Comchip Technology
DF206-G
Comchip Technology
DF204ST-G
Comchip Technology
DF204S-G
Comchip Technology
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel