Référence fabricant | DB105-G |
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Numéro de pièce future | FT-DB105-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB105-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB105-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB105-G-FT |
DF1502M
Diodes Incorporated
DF1504M
Diodes Incorporated
DF1506M
Diodes Incorporated
DF1508M
Diodes Incorporated
DF1510M
Diodes Incorporated
T483A
Sensata-Crydom
M5060TB1400
Sensata-Crydom
M50100SB1200
Sensata-Crydom
M50100SB1600
Sensata-Crydom
M50100SB1000
Sensata-Crydom
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
EP4SGX360NF45I4
Intel
A42MX16-1TQG176
Microsemi Corporation
EPF10K10AQI208-3
Intel