maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU6JL-6131M3/51
Référence fabricant | GBU6JL-6131M3/51 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBU6JL-6131M3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU6JL-6131M3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-6131M3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU6JL-6131M3/51-FT |
GBL06-3E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5303E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5305E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5306E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5308E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5600E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5701E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-6177E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-6832E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-6870E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel