maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBL06L-5306E3/51
Référence fabricant | GBL06L-5306E3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-GBL06L-5306E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBL06L-5306E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBL |
Package d'appareils du fournisseur | GBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL06L-5306E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBL06L-5306E3/51-FT |
CBR6-010
Central Semiconductor Corp
CBR6-020
Central Semiconductor Corp
CBR6-040
Central Semiconductor Corp
CBR6-060
Central Semiconductor Corp
CBR6-080
Central Semiconductor Corp
CBR6-100
Central Semiconductor Corp
CBR6A-020
Central Semiconductor Corp
CBR6A-040
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CBR6A-060
Central Semiconductor Corp
CBR6A-080
Central Semiconductor Corp
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
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EP3C25U256I7N
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5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
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