maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU6JL-5301E3/51
Référence fabricant | GBU6JL-5301E3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-GBU6JL-5301E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU6JL-5301E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5301E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU6JL-5301E3/51-FT |
G3SBA60L-5703M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6088E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation