maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / G3SBA60L-6000M3/51
Référence fabricant | G3SBA60L-6000M3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-G3SBA60L-6000M3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
G3SBA60L-6000M3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA60L-6000M3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | G3SBA60L-6000M3/51-FT |
CBR1F-D080
Central Semiconductor Corp
CBR1F-D100
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S H
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S TR13 H
Central Semiconductor Corp
CBR2-010
Central Semiconductor Corp
CBR2-020
Central Semiconductor Corp
CBR2-040
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CBR2-080
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CBR2-100
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CBR35-020PW
Central Semiconductor Corp
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
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A3PE1500-1PQ208
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EPF10K200EBC600-1
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5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel