maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / CBR2-100
Référence fabricant | CBR2-100 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CBR2-100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CBR2-100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Circular, A Case |
Package d'appareils du fournisseur | A Case |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR2-100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR2-100-FT |
70MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
70MT160PA
Vishay Semiconductor Diodes Division
70MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
800-1
Microsemi Corporation
800-2
Microsemi Corporation
800-4
Microsemi Corporation
801-1
Microsemi Corporation
801-3
Microsemi Corporation
801-4
Microsemi Corporation
803-1
Microsemi Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel