maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU4JL-5708E3/51
Référence fabricant | GBU4JL-5708E3/51 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBU4JL-5708E3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU4JL-5708E3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4JL-5708E3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU4JL-5708E3/51-FT |
F475R07W2H3B51BOMA1
Infineon Technologies
FBS10-12SC
IXYS
FS3L30R07W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
FS3L50R07W2H3FB11BOMA1
Infineon Technologies
G2SB60L-5700E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5700E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5752E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5753E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation