maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / F475R07W2H3B51BOMA1
Référence fabricant | F475R07W2H3B51BOMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-F475R07W2H3B51BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
F475R07W2H3B51BOMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | - |
La technologie | - |
Tension - Inverse de crête (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F475R07W2H3B51BOMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | F475R07W2H3B51BOMA1-FT |
BR2504W-G
Comchip Technology
BR2510W-G
Comchip Technology
BR35005W-G
Comchip Technology
BR3504W-G
Comchip Technology
BR3510W-G
Comchip Technology
BR50005W-G
Comchip Technology
BR5010W-G
Comchip Technology
BR50504-G
Comchip Technology
BR50504W-G
Comchip Technology
BW511FS-YE
Sensata-Crydom
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel