maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBL04-M3/51
Référence fabricant | GBL04-M3/51 |
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Numéro de pièce future | FT-GBL04-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBL04-M3/51 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBL |
Package d'appareils du fournisseur | GBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL04-M3/51 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBL04-M3/51-FT |
KBU2508-G
Comchip Technology
KBU3501-G
Comchip Technology
KBU3502-G
Comchip Technology
KBU3506-G
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KBU3508-G
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B05S-HF
Comchip Technology
B10S-HF
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B1S-G
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B2S-G
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B2S-HF
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XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
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M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
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XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
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LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
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EP4SGX180DF29C2X
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