Référence fabricant | B1S-G |
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Numéro de pièce future | FT-B1S-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
B1S-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 800mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-269AA, 4-BESOP |
Package d'appareils du fournisseur | MBS |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B1S-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | B1S-G-FT |
SET111424
Semtech Corporation
SET121223
Semtech Corporation
CD-MBL206S
Bourns Inc.
GBU25KH
Diodes Incorporated
BR1005-BP
Micro Commercial Co
BR101-BP
Micro Commercial Co
BR1010-BP
Micro Commercial Co
BR104-BP
Micro Commercial Co
BR106-BP
Micro Commercial Co
BR108-BP
Micro Commercial Co
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
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5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel