maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBL02-M3/45
Référence fabricant | GBL02-M3/45 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBL02-M3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBL02-M3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBL |
Package d'appareils du fournisseur | GBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL02-M3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBL02-M3/45-FT |
KBU2502-G
Comchip Technology
KBU2506-G
Comchip Technology
KBU2508-G
Comchip Technology
KBU3501-G
Comchip Technology
KBU3502-G
Comchip Technology
KBU3506-G
Comchip Technology
KBU3508-G
Comchip Technology
B05S-HF
Comchip Technology
B10S-HF
Comchip Technology
B1S-G
Comchip Technology
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel