maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2510TB
Référence fabricant | GBJ2510TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2510TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2510TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2510TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2510TB-FT |
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K160T-3FBG676E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL125V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation