maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU605 D2G
Référence fabricant | GBU605 D2G |
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Numéro de pièce future | FT-GBU605 D2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU605 D2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU605 D2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU605 D2G-FT |
YBS2204G RAG
Taiwan Semiconductor Corporation
YBS2205G RAG
Taiwan Semiconductor Corporation
YBS2206G RAG
Taiwan Semiconductor Corporation
YBS2207G RAG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS8 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
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EP4CE55F23C8L
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XC2V8000-4FFG1152I
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XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
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LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
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EP20K200EBC356-2X
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EP1K10QC208-2N
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