maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ2508-F
Référence fabricant | GBJ2508-F |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ2508-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ2508-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2508-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ2508-F-FT |
MB158
Diodes Incorporated
MB352W
Diodes Incorporated
MB352W-F
Diodes Incorporated
GBL410
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DSRHD02-13
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DSRHD04-13
Diodes Incorporated
DSRHD06-13
Diodes Incorporated
DSRHD08-13
Diodes Incorporated
DSRHD10-13
Diodes Incorporated
W005G
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
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EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel