Référence fabricant | GBJ1501 |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ1501 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1501 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 7.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBJ |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1501 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1501-FT |
RS405LDI-F
Diodes Incorporated
RS407L
Diodes Incorporated
PB605
Diodes Incorporated
PB61
Diodes Incorporated
PB62
Diodes Incorporated
PB62-F
Diodes Incorporated
PB64
Diodes Incorporated
HD01-T
Diodes Incorporated
HD06-T
Diodes Incorporated
HD04-T
Diodes Incorporated
LFEC3E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
XC4005XL-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F40I3LN
Intel
5SGSED6N2F45C3N
Intel
XC6VLX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation