maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ1004TB
Référence fabricant | GBJ1004TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ1004TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1004TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1004TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1004TB-FT |
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
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GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
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GBU1006 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU2505 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805 D2G
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XC6SLX9-3FTG256C
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M1A3P600-1FGG484
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M1A3PE3000-1FG484
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