maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ1001TB
Référence fabricant | GBJ1001TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ1001TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ1001TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1001TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ1001TB-FT |
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
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GBU1006 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
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LCMXO2280E-4FTN256I
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EP3C25U256I7N
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5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LFE3-70EA-9FN484I
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EP2AGX125EF35C4N
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