maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GA08JT17-247
Référence fabricant | GA08JT17-247 |
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Numéro de pièce future | FT-GA08JT17-247 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GA08JT17-247 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) (90°C) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 8A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 48W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AB |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA08JT17-247 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GA08JT17-247-FT |
IPT015N10N5ATMA1
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IPT004N03LATMA1
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IAUT300N10S5N015ATMA1
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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A3PN125-1VQ100
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EP2A15F672C7AA
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EP3CLS70U484I7
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LFE3-70E-8FN484I
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EP20K600EBC652-1X
Intel