maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / GA01PNS150-220
Référence fabricant | GA01PNS150-220 |
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Numéro de pièce future | FT-GA01PNS150-220 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GA01PNS150-220 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 15000V |
Courant - Max | 1A |
Capacité @ Vr, F | 7pF @ 1000V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA01PNS150-220 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GA01PNS150-220-FT |
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA980-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA980-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA982-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA982-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel