maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA979S-GS18
Référence fabricant | BA979S-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-BA979S-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA979S-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 30V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Résistance @ Si, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA979S-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA979S-GS18-FT |
HSMP-389C-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389E-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389E-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389E-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389F-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389F-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389F-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389F-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-481B-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-481B-TR1
Broadcom Limited
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
10CL080ZU484I8G
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
XC7K325T-2FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX24-2PL84
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C7N
Intel