maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ1200R33KF2CNOSA1
Référence fabricant | FZ1200R33KF2CNOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FZ1200R33KF2CNOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZ1200R33KF2CNOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3300V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2000A |
Puissance - Max | 14500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.25V @ 15V, 1200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 12mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 150nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R33KF2CNOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ1200R33KF2CNOSA1-FT |
FS150R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FS15R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XL4BOMA1
Infineon Technologies
FS15R12VT3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FS200R07A1E3BOSA1
Infineon Technologies
FS200R12A1T4H5BOMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5CEFA9F23I7N
Intel
5AGXBB7D4F35C5N
Intel