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Référence fabricant | FT93C66A-USR-T |
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Numéro de pièce future | FT-FT93C66A-USR-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FT93C66A-USR-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Fréquence d'horloge | 2MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT93C66A-USR-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FT93C66A-USR-T-FT |
GD25LD20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
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EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
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LCMXO1200E-3B256C
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Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel