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Référence fabricant | FT24C128A-USG-B |
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Numéro de pièce future | FT-FT24C128A-USG-B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FT24C128A-USG-B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 128Kb (16K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C128A-USG-B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FT24C128A-USG-B-FT |
GD25LD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel