maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FST8330SM
Référence fabricant | FST8330SM |
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Numéro de pièce future | FT-FST8330SM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FST8330SM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 80A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 80A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.5mA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D61-3SM |
Package d'appareils du fournisseur | D61-3SM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST8330SM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FST8330SM-FT |
DSEI2X31-06P
IXYS
DSEI2X31-10P
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DSSK28-01AS-TUB
IXYS
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
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EP2AGZ300FF35C4N
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