maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DSEI2X61-10P
Référence fabricant | DSEI2X61-10P |
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Numéro de pièce future | FT-DSEI2X61-10P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED |
DSEI2X61-10P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.3V @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 1000V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC1 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X61-10P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSEI2X61-10P-FT |
CPT30145D
Microsemi Corporation
CPT40080
Microsemi Corporation
CPT40080A
Microsemi Corporation
CPT40080D
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CPT40090A
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CPT40090D
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CPT40145A
Microsemi Corporation
CPT40145D
Microsemi Corporation
CPT500100A
Microsemi Corporation
CPT500100D
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EP2C5T144I8
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A1020B-2PQG100I
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EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
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LFXP20C-5F256C
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LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel