maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS75R06KE3BOSA1
Référence fabricant | FS75R06KE3BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FS75R06KE3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS75R06KE3BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Puissance - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 4.6nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS75R06KE3BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS75R06KE3BOSA1-FT |
FZ1600R12HP4HOSA2
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FZ1800R12HP4B9HOSA2
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FZ1800R17HP4B9HOSA2
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DF1400R12IP4DBOSA1
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DF900R12IP4DBOSA1
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XC2S150-6FGG456C
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EP4SGX230KF40C2
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XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
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EP4CE30F29C8
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EP4CE75F29I7
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EP3C25F324C8N
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EP1K100QI208-2N
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