maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FZ2400R12HE4B9HOSA2
Référence fabricant | FZ2400R12HE4B9HOSA2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FZ2400R12HE4B9HOSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FZ2400R12HE4B9HOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single Switch |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3560A |
Puissance - Max | 13500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 2400A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 150nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ2400R12HE4B9HOSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FZ2400R12HE4B9HOSA2-FT |
FS75R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FS25R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FS300R12OE4BOSA1
Infineon Technologies
FS450R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RBOSA1
Infineon Technologies
FS150R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS150R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FS150R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5CEFA9F23I7N
Intel
5AGXBB7D4F35C5N
Intel