maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS500R17OE4DPBOSA1
Référence fabricant | FS500R17OE4DPBOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS500R17OE4DPBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS500R17OE4DPBOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1000A |
Puissance - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 500A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 40nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS500R17OE4DPBOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS500R17OE4DPBOSA1-FT |
FP30R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP30R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FP30R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP40R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel