maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FP35R12KT4BOSA1
Référence fabricant | FP35R12KT4BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FP35R12KT4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FP35R12KT4BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35A |
Puissance - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12KT4BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP35R12KT4BOSA1-FT |
FF450R12KE4PHOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KT4PHOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME3BOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FF450R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FF450R17ME3BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation