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Référence fabricant | FF450R12ME3BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FF450R12ME3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF450R12ME3BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600A |
Puissance - Max | 2100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 450A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 32nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF450R12ME3BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF450R12ME3BOSA1-FT |
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HE3KBPSA1
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
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XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
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EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
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