maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FD1000R17IE4DB2BOSA1
Référence fabricant | FD1000R17IE4DB2BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FD1000R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PrimePACK™3 |
FD1000R17IE4DB2BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1390A |
Puissance - Max | 6250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD1000R17IE4DB2BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FD1000R17IE4DB2BOSA1-FT |
CM75DY-34A
Powerex Inc.
CM75E3U-24H
Powerex Inc.
CM75MX-12A
Powerex Inc.
CM75MXA-24S
Powerex Inc.
CM75RL-12NF
Powerex Inc.
CM75RL-24NF
Powerex Inc.
CM75RX-24A
Powerex Inc.
CM75TF-12H
Powerex Inc.
CM75TF-24H
Powerex Inc.
CM75TF-28H
Powerex Inc.
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K60EFC144-1X
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XCV150-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F31C4N
Intel
EP20K200EQI240-2N
Intel
EPF10K50VQC240-2N
Intel