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ON Semiconductor FQPF9N50YDTU

Name: FQPF9N50YDTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF9N50YDTU
Availability: InStock
Rating: 4.7 (482 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQPF9N50YDTU

quantité disponible: 98160 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQPF9N50YDTU.pdf

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FQPF9N50YDTU Caractéristiques

Référence fabricant	FQPF9N50YDTU
Numéro de pièce future	FT-FQPF9N50YDTU
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQPF9N50YDTU Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1450pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF9N50YDTU Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQPF9N50YDTU-FT

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