maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQPF30N06L
Référence fabricant | FQPF30N06L |
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Numéro de pièce future | FT-FQPF30N06L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQPF30N06L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 38W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF30N06L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQPF30N06L-FT |
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
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GP1M016A025HG
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GP1M016A060H
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GP1M018A020HG
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GP2M002A060HG
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GP2M002A065HG
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GP2M004A060HG
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GP2M004A065HG
Global Power Technologies Group
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
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LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
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