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ON Semiconductor FQI5N20LTU

Numéro de pièce MFG
FQI5N20LTU
quantité disponible
14110 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FQI5N20LTU.pdf
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FQI5N20LTU Caractéristiques

Référence fabricant FQI5N20LTU
Numéro de pièce future FT-FQI5N20LTU
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQI5N20LTU Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 5V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI5N20LTU Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQI5N20LTU-FT

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