maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQD10N20CTM
Référence fabricant | FQD10N20CTM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQD10N20CTM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQD10N20CTM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D-Pak |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD10N20CTM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQD10N20CTM-FT |
ZVP0120ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP0545ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP0545ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP1320A
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP1320ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106AS
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOB
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel