maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQAF28N15
Référence fabricant | FQAF28N15 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FQAF28N15 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQAF28N15 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 102W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3PF |
Paquet / caisse | TO-3P-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF28N15 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQAF28N15-FT |
FQU30N06LTU
ON Semiconductor
FQU3N40TU
ON Semiconductor
FQU3N60CTU
ON Semiconductor
FQU3N60TU
ON Semiconductor
FQU3P20TU
ON Semiconductor
FQU3P50TU
ON Semiconductor
FQU4N20TU
ON Semiconductor
FQU4N25TU
ON Semiconductor
FQU4N50TU
ON Semiconductor
FQU4N50TU-WS
ON Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel