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ON Semiconductor FQU3P50TU

Numéro de pièce MFG
FQU3P50TU
quantité disponible
30130 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FQU3P50TU.pdf
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FQU3P50TU Caractéristiques

Référence fabricant FQU3P50TU
Numéro de pièce future FT-FQU3P50TU
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQU3P50TU Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I-PAK
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU3P50TU Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQU3P50TU-FT

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