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ON Semiconductor FQA10N80_F109

Name: FQA10N80_F109
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQA10N80_F109
Availability: InStock
Rating: 4.5 (780 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQA10N80_F109

quantité disponible: 96430 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQA10N80_F109.pdf

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FQA10N80_F109 Caractéristiques

Référence fabricant	FQA10N80_F109
Numéro de pièce future	FT-FQA10N80_F109
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQA10N80_F109 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	240W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3P
Paquet / caisse	TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQA10N80_F109 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQA10N80_F109-FT

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