maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FK4B01110L1
Référence fabricant | FK4B01110L1 |
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Numéro de pièce future | FT-FK4B01110L1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FK4B01110L1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 118µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.55nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 274pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 340mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ALGA004-W-0606-RA01 |
Paquet / caisse | 4-XFLGA, CSP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FK4B01110L1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FK4B01110L1-FT |
RJK4013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK4512DPE-00#J3
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RJK5012DPE-00#J3
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RJL6013DPE-00#J3
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel