maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FP35R12KT4PBPSA1
Référence fabricant | FP35R12KT4PBPSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FP35R12KT4PBPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | EconoPIM™ 2 |
FP35R12KT4PBPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Puissance - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12KT4PBPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP35R12KT4PBPSA1-FT |
APT100GT120JU3
Microsemi Corporation
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation
APT200GN60JG
Microsemi Corporation
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel