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APT35GP120JDQ2 Image

Microsemi Corporation APT35GP120JDQ2

Numéro de pièce MFG
APT35GP120JDQ2
quantité disponible
66570 Pièces
Prix de référence
USD 0
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 7® IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT35GP120JDQ2.pdf
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APT35GP120JDQ2 Caractéristiques

Référence fabricant APT35GP120JDQ2
Numéro de pièce future FT-APT35GP120JDQ2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 7®
APT35GP120JDQ2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 64A
Puissance - Max 284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 350µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.24nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse ISOTOP
Package d'appareils du fournisseur ISOTOP®
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT35GP120JDQ2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT35GP120JDQ2-FT

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