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Référence fabricant | APT35GP120JDQ2 |
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Numéro de pièce future | FT-APT35GP120JDQ2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 7® |
APT35GP120JDQ2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 64A |
Puissance - Max | 284W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 350µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GP120JDQ2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT35GP120JDQ2-FT |
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100A170TG
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APTGT100A120D1G
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APTGLQ100A120T3AG
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APTGL60DDA120T3G
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XC3S500E-5FTG256C
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XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K3F40I3LN
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5SGSED6N3F45C2L
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5SGXMA4H3F35I4
Intel
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
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LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
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EP1S40F780I6
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