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Référence fabricant | FP35R12KT4B15BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FP35R12KT4B15BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FP35R12KT4B15BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35A |
Puissance - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12KT4B15BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP35R12KT4B15BOSA1-FT |
APT50GF60JU2
Microsemi Corporation
APT100GT120JU3
Microsemi Corporation
APT100GF60JU2
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APT100GF60JU3
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APT200GN60JDQ4G
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APT200GN60JG
Microsemi Corporation
APT30GF60JU2
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APT35GP120JDQ2
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APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation
APT40GP90JDQ2
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XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
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A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
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XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel