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Référence fabricant | FO3HSCBE12.0-T1 |
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Numéro de pièce future | FT-FO3HSCBE12.0-T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | F335 |
FO3HSCBE12.0-T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Crystal |
La fréquence | XO (Standard) |
Une fonction | 12MHz |
Sortie | Enable/Disable |
Tension - Alimentation | HCMOS |
Stabilité de fréquence | 3.3V |
Gamme de traction absolue (APR) | ±50ppm |
Température de fonctionnement | - |
Courant - Alimentation (Max) | -10°C ~ 70°C |
Évaluations | 7mA |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Taille / Dimension | 4-SMD, No Lead |
Hauteur - assis (max) | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
0.047" (1.20mm) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FO3HSCBE12.0-T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FO3HSCBE12.0-T1-FT |
FO3HFCOM0.032768-T1
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FO1HSCBF12.0-T3
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ECS-1633-480-BN-TR
ECS Inc.
ECS-1618-192-BN-TR
ECS Inc.
A3P060-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC7A100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
EP3SL200F1517C3N
Intel
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1SG
Intel
10AX032E1F27E1HG
Intel