maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / FJN4307RTA
Référence fabricant | FJN4307RTA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FJN4307RTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJN4307RTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN4307RTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJN4307RTA-FT |
FJN3313RBU
ON Semiconductor
FJN3314RBU
ON Semiconductor
FJN3315RBU
ON Semiconductor
FJN4301RBU
ON Semiconductor
FJN4302RBU
ON Semiconductor
FJN4303RBU
ON Semiconductor
FJN4304RBU
ON Semiconductor
FJN4305RBU
ON Semiconductor
FJN4306RBU
ON Semiconductor
FJN4307RBU
ON Semiconductor
LCMXO2-1200HC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG400I
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
EP1S20B672C6
Intel
XC5VLX110-1FFG1760CES
Xilinx Inc.
10AX066K2F40I2LG
Intel