maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / FJN3314RBU
Référence fabricant | FJN3314RBU |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FJN3314RBU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJN3314RBU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN3314RBU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJN3314RBU-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
ON Semiconductor
FJN3305RBU
ON Semiconductor
FJN3306RBU
ON Semiconductor
FJN3307RBU
ON Semiconductor
FJN3308RBU
ON Semiconductor
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I3L
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel